輸入電壓4.5V~20V
輸入耐壓22V
充電電流3A
充電方式升降壓充電
充電頻率500KHZ
同步整流是
電壓可調是
電流可調是
NTC帶
使能帶
MOS管內置是
封裝QFN3*4
較少包裝5000
特性：
·集成低RDS(on) 功率 MOSFET
·寬輸入范圍: 4.2V-21.0V, 支持1-4芯電池充電
·全充電電壓可以通過外部電阻器進行編程
·率
JW3655E芯片是一種高速光通信芯片，由美國的光通信芯片設計公司JW化學公司開發(fā)。它采用了的SiGe BiCMOS工藝，具有高速、低功耗、低噪聲和高靈敏度等特點，可以用于光纖通信、數(shù)據(jù)中心、云計算、衛(wèi)星通信和無線通信等領域。
JW3655E芯片的使用可以提高光通信系統(tǒng)的性能和可靠性，降和功耗，從而推動光通信技術的發(fā)展。
JW3655E芯片具有低功耗、高性能、高可靠性等特點，適用于數(shù)據(jù)中心、云計算、通信基礎設施等領域。該芯片的應用可以提高光通信系統(tǒng)的傳輸速率和可靠性，降低能耗和成本，促進光通信技術的發(fā)展和應用。
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